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BSC014N06LS

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    BSC014N06LS5ATMA1

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
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    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

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    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

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  • Infineon Technologies

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BSC014N06LS 技術參數
  • BSC014N04LSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:5,000 BSC014N04LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):31A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.45 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4000pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 FL(5x6) 標準包裝:1 BSC014N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):32A(Ta),100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4300pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),96W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SuperSO8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC014N04LS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):32A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4300pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:SuperSO8 標準包裝:1 BSC014N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Ta),100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):173nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):13000pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),139W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC016N04LSGATMA1 BSC016N06NS BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSTATMA1 BSC017N04NS G BSC017N04NSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSI BSC018NE2LSIATMA1 BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N04LSATMA1 BSC019N04NSGATMA1 BSC020N025S G BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 BSC022N03S BSC022N03SG
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