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BSD840NH6327XTSA1

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  • BSD840NH6327XTSA1
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    聯系人:陳先生 13360533550

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    地址:深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質:營業執照

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
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    電話:18724450645

    地址:中國上海

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  • 優勢庫存,原裝正品

  • BSD840NH6327XTSA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

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    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

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  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

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    電話:18724450645

    地址:東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓

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  • BSD840NH6327XTSA1
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  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業執照

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

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  • 優勢庫存,原裝正品

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
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    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

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  • Infineon Technologies

  • SOT-363-6

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

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    資質:營業執照

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  • BSD840NH6327XTSA1
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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
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    聯系人:陳小姐

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    地址:都會軒3607

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  • PG-SOT363-6

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  • 深圳市瑞斯特電子科技有限公司
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    聯系人:楊銳鋒

    電話:0755-8255091013189682405

    地址:深圳福田區華強廣場二樓Q2B046

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  • 高品質!價格美麗!

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A 6-Pin SOT-363 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363
BSD840NH6327XTSA1 技術參數
  • BSD840N L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):880mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 880mA,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 1.6μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.26nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):78pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BSD816SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 1.4A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.6nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):180pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BSD816SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 1.4A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):0.95V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.6nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):180pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BSD340NH6327XTSA1 功能描述:SMALL SIGNAL+P-CH 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BSD316SNL6327XT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 1.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A BSE-020-01-L-D-A-FL BSE-020-01-L-D-A-FL-TR BSE-020-01-L-D-A-GP BSE-020-01-L-D-A-TR BSE-020-01-L-D-EM2 BSE-020-01-L-D-EM2-GP BSE-020-01-L-D-FL BSE-020-01-L-D-LC BSE-020-01-L-D-TR
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