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BSF035NE2LQXUMA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSF035NE2LQXUMA1
    BSF035NE2LQXUMA1

    BSF035NE2LQXUMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • BSF035NE2LQXUMA1
    BSF035NE2LQXUMA1

    BSF035NE2LQXUMA1

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 39624

  • Infineon Technologies

  • WDSON-2-3

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • BSF035NE2LQXUMA1
    BSF035NE2LQXUMA1

    BSF035NE2LQXUMA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • MG-WDSON-2,CanPAK M?

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進(jìn)口原裝正品!

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSF035NE2LQXUMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 22A(Ta),69A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 3.5 毫歐 @ 30A, 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 25nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 1862pF @ 12V
  • 功率 - 最大值
  • 2.2W
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 3-WDSON
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • MG-WDSON-2,CanPAK M?
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 5,000
BSF035NE2LQXUMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSF030NE2LQXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Ta),75A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.2W(Ta),28W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSF030NE2LQ 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Ta),75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1700pF @ 12V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSF024N03LT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta),106A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSF 功能描述:9V FEMALE SNAP 6-SIDED 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效 電池類型,功能:9V,卡入式觸點(單) 樣式:觸點,卡入式(正極) 電池尺寸:9V 電池數(shù):- 電池系列:- 安裝類型:自定義 端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSE-120-01-L-D-LC 功能描述:.8MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSE 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插座,中央帶觸點 針腳數(shù):240 間距:0.031"(0.80mm) 排數(shù):2 安裝類型:表面貼裝 特性:板鎖 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:10μin(0.25μm) 接合堆疊高度:5mm,8mm 板上高度:0.128"(3.25mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BSG0810NDIATMA1 BSG0811NDATMA1 BSG0813NDIATMA1 BSH-020-01-C-D-A BSH-020-01-F-D BSH-020-01-F-D-A BSH-020-01-F-D-A-TR BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D
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