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BSH112,235

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSH112,235
    BSH112,235

    BSH112,235

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • SOT23-3

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • BSH112,235
    BSH112,235

    BSH112,235

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 84212

  • NXP USA Inc.

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • BSH112,235
    BSH112,235

    BSH112,235

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 10000

  • NXP

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • BSH112,235
    BSH112,235

    BSH112,235

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • NXP(原PHILIPS)

  • 全新原裝現貨庫存熱賣!!

  • 08/09+

  • -
  • 百分百原裝正品,質量保障價格及優

  • BSH112,235
    BSH112,235

    BSH112,235

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • SOT-23(TO-236AB)

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 60V 300M...

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
BSH112,235 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET TAPE13 PWR-MO
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSH112,235 技術參數
  • BSH111BKR 功能描述:MOSFET N-CH 55V SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):210mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):30pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):302mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 200mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSH111,235 功能描述:MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):335mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1nC @ 8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:10,000 BSH111,215 功能描述:MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):335mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1nC @ 8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 BSH10-E 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 10-12 AWG Yellow 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝 零件狀態:有效 端子類型:對接接頭,直插式,單獨開口 進線數:2 端接:壓接 線規:10-12 AWG 絕緣:完全絕緣熱縮件 特性:銅焊縫 顏色:黃 標準包裝:20 BSH108,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.9A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):190pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 1A,10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSH-120-01-F-D-LC-TR BSH-120-01-F-D-TR BSH-120-01-H-D BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR BSH-120-01-L-D-EM2 BSH-120-01-L-D-LC BSH-120-01-L-D-LC-TR BSH-120-01-L-D-TR BSH121,135 BSH14-D
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