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BSL806NH6327XTSA1

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說明
操作

BSL806NH6327XTSA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
330688
INFINEON
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優勢庫存，原裝正品

BSL806NH6327XTSA1
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
330688
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BSL806NH6327XTSA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
330688
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24+
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BSL806NH6327XTSA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
330688
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現貨常備京北通宇商城可查價格

BSL806NH6327XTSA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
330688
INFINEON
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24+
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優勢庫存，原裝正品

BSL806NH6327XTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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BSL806NH6327XTSA1
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
8457
Infineon Technologies
TSOP-6
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全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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BSL806NH6327XTSA1 PDF下載

功能描述
MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
在售
FET 類型
2 個 N 溝道（雙）
FET 功能
邏輯電平柵極，1.8V 驅動
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.3A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
57 毫歐 @ 2.3A，2.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
750mV @ 11μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
1.7nC @ 2.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
259pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝
PG-TSOP6-6
標準包裝
3,000

BSL806NH6327XTSA1 技術參數

BSL802SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 7.5A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1347pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL802SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 7.5A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:0.75V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1347pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:3,000 BSL716SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 218μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:3,000 BSL606SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL373SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 218μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:265pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP-6-1 標準包裝:3,000 BSM180D12P2C101 BSM180D12P3C007 BSM1-C BSM1-X BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1