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BSP316PL6327HTSA1

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BSP316PL6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
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BSP316PL6327HTSA1
深圳市芯脈實業有限公司
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聯系人：曹先生/高先生/周小姐
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地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
73267
Infineon Technologies
TO-261-4, TO-261AA
25+
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全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BSP316PL6327HTSA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT223-4
19+
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BSP316PL6327HTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSP316PL6327HTSA1 PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT-223

BSP316PL6327HTSA1 技術參數

BSP316PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:680mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 680mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP316PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:680mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 680mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP316PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:680mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 680mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP315PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.17A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 1.17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 160μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP315PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.17A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 1.17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 160μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP3-208/240-LC BSP320S E6327 BSP320S E6433 BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6433XTMA1 BSP320SL6327HTSA1 BSP320SL6433HTMA1 BSP321PH6327XTSA1 BSP321PL6327HTSA1 BSP322PH6327XTSA1 BSP322PL6327HTSA1 BSP324 E6327 BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327HTSA1 BSP3-277 BSP3-277-20KA BSP3-277-20KA-TN BSP3-277-LC