欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

<tfoot id="csymi"></tfoot>

<strike id="csymi"></strike>

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 >

BSP31T/R

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSP31T/R
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ORIGINAL
最新批號
-
代理此型號，原裝特價現(xiàn)貨！

BSP31T/R
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2790
PHILIPS
SOT223
0751+pb
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： BSP32,115 BSP3-208/240 BSP3-208/240-LC BSP320S E6327 BSP320S E6433 BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6433XTMA1 BSP320SL6327HTSA1 BSP320SL6433HTMA1

BSP31T/R PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

BSP31T/R PDF下載

制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223

BSP31T/R 技術(shù)參數(shù)

BSP318SL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP318SH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.6A（Tj）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP318S E6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP317PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP317PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP321PH6327XTSA1 BSP321PL6327HTSA1 BSP322PH6327XTSA1 BSP322PL6327HTSA1 BSP324 E6327 BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327HTSA1 BSP3-277 BSP3-277-20KA BSP3-277-20KA-TN BSP3-277-LC BSP33,115 BSP3-347 BSP3-347-LC BSP3-480 BSP3-480-20K BSP3-480-20KA BSP3-480-20KA-TN