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BSP615S2LHUMA1

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    BSP615S2LHUMA1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

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  • BSP615S2LHUMA1
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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

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    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 61371

  • Infineon Technologies

  • 25+

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BSP615S2LHUMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET SOT223-4
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • -
  • 零件狀態
  • 最後搶購
  • 標準包裝
  • 1,000
BSP615S2LHUMA1 技術參數
  • BSP615S2L 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 1.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):330pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP613PL6327HUSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):875pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP613PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):875pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP613P 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):875pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP612PH6327XTSA1 功能描述:SMALL SIGNAL+P-CH 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:- 零件狀態:在售 安裝類型:- 供應商器件封裝:- 封裝/外殼:- 標準包裝:1,000 BSP742RXUMA1 BSP742T BSP742TXUMA1 BSP752R BSP752RXUMA2 BSP752T BSP752TXUMA1 BSP75GQTA BSP75GQTC BSP75GTA BSP75NHUMA1 BSP75NNT BSP75NQTA BSP75NTA BSP76 E6327 BSP762T BSP762TXUMA1 BSP76E6433HUMA1
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