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BSP75N.

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET SMART SWITCH SOT-223
BSP75N. 技術(shù)參數(shù)
  • BSP75GTA 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 TobereleasedQ4/03 RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 BSP75GQTC 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.6A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- Vgs(最大值):- FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 700mA, 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSP75GQTA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.6A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- Vgs(最大值):- FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 700mA, 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP752TXUMA1 功能描述:IC SW 1CH 60V HISIDE 8POWERSOIC 制造商:infineon technologies 系列:miniPROFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 開關(guān)類型:通用 輸出數(shù):1 比率 - 輸入:輸出:1:1 輸出配置:高端 輸出類型:N 通道 接口:開/關(guān) 電壓 - 負(fù)載:6 V ~ 52 V 電壓 - 電源(Vcc/Vdd):不需要 電流 - 輸出(最大值):1.3A 導(dǎo)通電阻(典型值):150 毫歐 輸入類型:非反相 特性:- 故障保護(hù):限流(固定),超溫,過壓 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 基本零件編號:BSP752 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP752T 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 DSO-8-6 RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 BSP77 E6327 BSP772T BSP772TXUMA1 BSP77E6433HUMA1 BSP78 E6327 BSP78HUMA1 BSP88E6327 BSP88H6327XTSA1 BSP88L6327HTSA1 BSP89 E6327 BSP89,115 BSP89H6327XTSA1 BSP89L6327HTSA1 BSP92P E6327 BSP92PH6327XTSA1 BSP92PL6327HTSA1 BSPCF BSPCM
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