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BSR202NL6327HTSA1

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    聯系人:王小姐

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
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    聯系人:洪先生

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  • 天陽誠業科貿有限公司
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  • 深圳市百潤電子有限公司
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  • 科創特電子(香港)有限公司
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 3-Pin SC-59 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59
BSR202NL6327HTSA1 技術參數
  • BSR202N L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 3.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1147pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR-2 0.030X12X12 功能描述:ECCOSORB BSR-2 12X12X0.030 制造商:laird technologies emi 系列:ECCOSORB? 零件狀態:有效 形狀:片狀 厚度 - 總:0.030"(0.76mm) 寬度:12.008"(305.00mm) 長度:12.008"(305.00mm) 粘合劑:壓敏膠合劑(PSA) 溫度范圍:- 標準包裝:1 BSR19A,215 功能描述:TRANS NPN 160V 0.3A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:BSR19 標準包裝:1 BSR18B 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):110 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:230mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BSR18A_D87Z 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSR31TA BSR33,115 BSR33,135 BSR33QTA BSR33TA BSR41,115 BSR41F BSR43,115 BSR43TA BSR50 BSR50_D74Z BSR50_J35Z BSR56 BSR56,215 BSR57 BSR57,215 BSR58 BSR58,215
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