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BSS119L6433HTMA1

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BSS119L6433HTMA1
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
1
INFINEON
con
24+
-
晶體管

BSS119L6433HTMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業(yè)執(zhí)照
1
INFINEON
con
24+
-
晶體管

BSS119L6433HTMA1
廣東濟德精密電子有限公司
廣東濟德精密電子有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號2棟2樓
150
INFINEON
NA
25+
-
現貨！就到京北通宇商城

BSS119L6433HTMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSS119L6433HTMA1
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
10739
Infineon Technologies
TO-236-3, SC-59, SOT
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

BSS119L6433HTMA1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BSS119L6433HTMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT23-3
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

BSS119L6433HTMA1 技術參數

BSS119L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS119E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS119 E7978 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS119 E7796 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:10,000 BSS119 E6433 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:10,000 BSS123ATA BSS123ATC BSS123E6327 BSS123L BSS123L6327HTSA1 BSS123L6433HTMA1 BSS123L7874XT BSS123LT1 BSS123LT1G BSS123LT3 BSS123LT3G BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6433XTMA1 BSS123TA BSS123TC BSS123W BSS123W-7 BSS123W-7-F

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