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BSS138NL6433HTMA1

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  • BSS138NL6433HTMA1
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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 79714

  • Infineon Technologies

  • TO-236-3, SC-59, SOT

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • BSS138NL6433HTMA1
    BSS138NL6433HTMA1

    BSS138NL6433HTMA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-SOT23-3

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進口原裝正品!

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
BSS138NL6433HTMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
BSS138NL6433HTMA1 技術參數
  • BSS138NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 230mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS138NH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 230mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS138NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 230mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS138N-E6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 230mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS138N E8004 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 230mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:10,000 BSS138W L6327 BSS138W L6433 BSS138W-7 BSS138W-7-F BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6433XTMA1 BSS138W-TP BSS139 E6327 BSS139 E6906 BSS139 H6327 BSS139H6327XTSA1 BSS139H6906XTSA1 BSS139L6327HTSA1 BSS139L6906HTSA1 BSS-150-01-C-D-A BSS-150-01-F-D BSS-150-01-F-D-A BSS-150-01-F-D-EM2
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