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BSS84_D87Z

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型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

BSS84_D87Z
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
89462
onsemi
TO-236-3, SC-59, SOT
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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功能描述
MOSFET P-Ch Spec Enhance Mode Field Effect
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSS84_D87Z 技術參數

BSS84,215 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:130mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:45pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 130mA，10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS84 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS83PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS83PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.57nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS83PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6433XTMA1 BSS84PL6327HTSA1