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BSS98

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  • BSS98
    BSS98

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • FSC

  • TO-92

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  • BSS98
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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • SIEMENS

  • 91+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品,質量保障

  • 1/1頁 40條/頁 共27條 
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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
BSS98 技術參數
  • BSS87L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 260mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS87H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 260mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 BSS87H6327FTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 260mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):97pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS87E6327T 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 260mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:P-SOT89-4 標準包裝:1 BSS87E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):260mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 260mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:P-SOT89-4 標準包裝:1 BST15,115 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115 BST-169 BST16TA BST-225 BST-256P BST-272P+16 BST-303 BST-324 BST-352P BST-357 BST39,115 BST39TA BST40TA BST-492
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