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BSZ068N06NSATMA1

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操作

BSZ068N06NSATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
328930
INFINEON
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

BSZ068N06NSATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
INFINEON
con
24+
-
場效應管

BSZ068N06NSATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
328930
INFINEON
con
24+
-

BSZ068N06NSATMA1
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
INFINEON
con
24+
-
場效應管

BSZ068N06NSATMA1
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
328930
INFINEON
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BSZ068N06NSATMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
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BSZ068N06NSATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
328930
INFINEON
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24+
-
優勢庫存，原裝正品

BSZ068N06NSATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
328930
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24+
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現貨常備京北通宇商城可查價格

BSZ068N06NSATMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-TSDSON-8-FL（3.3x3
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

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BSZ068N06NSATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET (Metal Oxide)
漏源極電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
40A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
6.8 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.3V @ 20μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
21nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1500pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
*
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商器件封裝
PG-TSDSON-8-FL
標準包裝
1

BSZ068N06NSATMA1 技術參數

BSZ067N06LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta），20A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5100pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），69W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 BSZ067N06LS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta），20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5100pF @ 30V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ065N06LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:5,000 BSZ065N03LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:670pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），26W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ065N03LS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:670pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ088N03MSGATMA1 BSZ0901NS BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSI BSZ0901NSIATMA1 BSZ0902NS BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSI BSZ0902NSIATMA1 BSZ0904NSI BSZ0904NSIATMA1 BSZ0909NDXTMA1 BSZ0909NSATMA1 BSZ0910NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ097N04LS G BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1

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