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BSZ900N15NS3GATMA1

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    資質:營業執照

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  • 天陽誠業科貿有限公司
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    聯系人:洪寶宇

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    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • 廣東濟德精密電子有限公司
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    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
BSZ900N15NS3GATMA1 技術參數
  • BSZ900N15NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):510pF @ 75V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ520N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):890pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散(最大值):57W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 18A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ520N15NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):890pF @ 75V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ440N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.3A(Ta),18A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):9.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):640pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):29W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):44 毫歐 @ 12A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ440N10NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.3A(Ta),18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):44 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):640pF @ 50V 功率 - 最大值:29W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BT1.5I-C0 BT1.5I-M BT1.5I-M0 BT1.5I-M1 BT1.5I-M10 BT1.5I-M2 BT1.5I-M3 BT1.5I-M30 BT1.5I-M300 BT1.5I-M39 BT1.5I-M4 BT1.5I-M4Y BT1.5I-M5 BT1.5I-M6 BT1.5I-M7 BT1.5I-M8 BT1.5M-C BT1.5M-C0
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