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BTS2472

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  • BTS2472
    BTS2472

    BTS2472

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • INFINEON

  • TO-220

  • 最新批號

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  • BTS2472
    BTS2472

    BTS2472

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

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  • 09/10+

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BTS2472 技術(shù)參數(shù)
  • BTS245A 功能描述:Hex Standoff Threaded #8-32 Brass 1.500" (38.10mm) 1 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態(tài):有效 類型:六角支座 有絲/無絲:有螺紋 公母:公頭,母頭 螺釘,螺紋規(guī)格:#8-32 直徑 - 內(nèi)部:- 直徑 - 外部:0.250"(6.35mm) 1/4" 六角形 板間高度:1.500"(38.10mm)1 1/2" 長度 - 總:1.875"(47.63mm)1 7/8" 特性:- 材料:黃銅 鍍層:鎳 顏色:- 重量:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BTS244ZNKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 成形引線 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS244ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS244ZE3043AKSA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-220-5 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS244Z E3062A 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5-62 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS3018TCATMA1 BTS3028SDLATMA1 BTS3028SDRATMA1 BTS3035EJXUMA1 BTS3035TFATMA1 BTS3046SDLATMA1 BTS3046SDRATMA1 BTS3050EJXUMA1 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1
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