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BTS282-Z-ND

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    BTS282-Z-ND

    BTS282-Z-ND

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 9600

  • INFINEON

  • TO-220-7

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優勢供應

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  • 1
BTS282-Z-ND PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BTS282-Z-ND 技術參數
  • BTS282ZE3230AKSA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-7 供應商器件封裝:PG-TO220-7 標準包裝:500 BTS282ZE3180AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V FET 功能:溫度保護 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 供應商器件封裝:PG-TO263-7-1 標準包裝:1 BTS282ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-7(成形引線) 供應商器件封裝:PG-TO220-7 標準包裝:500 BTS282Z E3230 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-7 供應商器件封裝:PG-TO220-7-230 標準包裝:500 BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 供應商器件封裝:PG-TO220-7-180 標準包裝:1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1 BTS3134D BTS3134DATMA1
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