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BU8172KUT-E2

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制造商
ROHM Semiconductor
功能描述
IC

BU8172KUT-E2 技術參數

BU810 功能描述:TRANS NPN DARL 400V 7A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 700mA，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BU808DFI 功能描述:TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:400μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5A，5V 功率 - 最大值:52W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:ISOWATT-218-3 供應商器件封裝:ISOWATT-218 標準包裝:300 BU807TU 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 50mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 BU807 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 50mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BU806 功能描述:TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:200V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 50mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BU-87-4 BU-87-5 BU-87-6 BU8761KV BU8763FV-E2 BU8766FV-E2 BU8770AFV-E2 BU8772KN-E2 BU8788KN-E2 BU-87-9 BU8793KN-E2 BU87C51FC1SF76 BU8871F-E2 BU8872FS-E2 BU8874 BU8874F-E2 BU8899GU-E2 BU8903GU-E2