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BUK755R4-100E,127

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  • BUK755R4-100E,127
    BUK755R4-100E,127

    BUK755R4-100E,127

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • BUK755R4-100E,127
    BUK755R4-100E,127

    BUK755R4-100E,127

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話(huà):0755-82552857-80913528851884(周日專(zhuān)線)

    地址:深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • NXP

  • 原廠原裝

  • 1728+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷(xiāo)庫(kù)存

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共16條 
  • 1
BUK755R4-100E,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-220AB Rail
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BUK755R4-100E/SIL3P/RAILH// - Rail/Tube
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
BUK755R4-100E,127 技術(shù)參數(shù)
  • BUK755R2-40B,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3789pF @ 25V 功率 - 最大值:203W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK754R7-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):82nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6230pF @ 25V 功率 - 最大值:234W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK754R3-75C,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB-3 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):142nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):11659pF @ 25V 功率 - 最大值:333W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK754R3-40B,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):69nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4824pF @ 25V 功率 - 最大值:254W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK754R0-55B,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):86nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6776pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7607-30B,118 BUK7607-55B,118 BUK7608-40B,118 BUK7608-55,118 BUK7608-55A,118 BUK7609-55A,118 BUK7609-75A,118 BUK7610-100B,118 BUK7610-55AL,118 BUK7611-55A,118 BUK7611-55B,118 BUK7613-100E,118 BUK7613-60E,118 BUK7613-75B,118 BUK7614-55,118 BUK7614-55A,118 BUK76150-55A,118 BUK7615-100A,118
配單專(zhuān)家

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