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BUK7907-55AE

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    BUK7907-55AE

    BUK7907-55AE

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴(lài)先生

    電話(huà)：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15326

  • PHILIPS

  • TO220-5

  • 2024+

  • -

  • 不怕你不買(mǎi)只怕你不問(wèn)

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  • 1
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BUK7907-55AE 技術(shù)參數(shù)
  • BUK7907-40ATC,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式） 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:108nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4500pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7905-40ATE,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式） 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:118nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4500pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7905-40AIE,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:127nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5000pF @ 25V FET 功能:電流感測(cè) 功率耗散（最大值）:272W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 封裝/外殼:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7905-40AI,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:電流感測(cè) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:127nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5000pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7880-55A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7C1R2-40EJ BUK7C1R4-40EJ BUK7C1R8-60EJ BUK7C2R2-60EJ BUK7C3R1-80EJ BUK7C3R8-80EJ BUK7C4R5-100EJ BUK7C5R4-100EJ BUK7D25-40EX BUK7E04-40A,127 BUK7E07-55B,127 BUK7E11-55B,127 BUK7E13-60E,127 BUK7E1R6-30E,127 BUK7E1R8-40E,127 BUK7E1R9-40E,127 BUK7E2R3-40C,127 BUK7E2R3-40E,127
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