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BUK7E07-55B

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型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

BUK7E07-55B
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
24678
NXP/恩智浦
I2PAK
22+
-

BUK7E07-55B
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NXP
I2PAK
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

BUK7E07-55B,127
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
91688
NXP USA Inc.
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BUK7E07-55B,127
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
I2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 55V 75A ...

1/1頁 40條/頁共14條
1

您是不是要找： BUK7E07-55B,127 BUK7E11-55B,127 BUK7E13-60E,127 BUK7E1R6-30E,127 BUK7E1R8-40E,127 BUK7E1R9-40E,127 BUK7E2R3-40C,127 BUK7E2R3-40E,127 BUK7E2R6-60E,127

BUK7E07-55B PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

BUK7E07-55B 技術參數

BUK7E04-40A,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:117nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5730pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK7D25-40EX 功能描述:BUK7D25-40E SOT1220 SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:460pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 BUK7C5R4-100EJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應商器件封裝:D2PAK-7 標準包裝:800 BUK7C4R5-100EJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標準包裝:800 BUK7C3R8-80EJ 功能描述:MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標準包裝:800 BUK7E2R7-30B,127 BUK7E3R1-40E,127 BUK7E3R5-60E,127 BUK7E4R0-80E,127 BUK7E4R3-75C,127 BUK7E4R6-60E,127 BUK7E5R2-100E,127 BUK7E8R3-40E,127 BUK7J1R4-40HX BUK7K12-60EX BUK7K134-100EX BUK7K13-60EX BUK7K15-80EX BUK7K17-60EX BUK7K17-80EX BUK7K18-40EX BUK7K23-80EX BUK7K25-40E,115