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BUK7Y10-30B,115

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BUK7Y10-30B,115
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
75976
NXP USA Inc.
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BUK7Y10-30B,115
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
53101
Nexperia
LFPAK56-5
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BUK7Y10-30B,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BUK7Y10-30B,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，電源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 30V 67A ...

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您是不是要找： BUK7Y113-100EX BUK7Y12-100EX BUK7Y12-40EX BUK7Y12-55B,115 BUK7Y12-80EX BUK7Y13-40B,115 BUK7Y14-80EX BUK7Y15-100EX BUK7Y153-100EX

BUK7Y10-30B,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK7Y10-30B,115 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUK7Y10-30B,115 技術參數

BUK7Y102-100B,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:779pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y08-40B/C,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2040pF @ 25V 功率 - 最大值:105W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1,500 BUK7Y08-40B,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2040pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:105W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y07-30B,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:31nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1773pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:105W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7M9R9-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2007pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.9 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標準包裝:1 BUK7Y15-60EX BUK7Y18-55B,115 BUK7Y18-75B,115 BUK7Y19-100EX BUK7Y1R7-40HX BUK7Y20-30B,115 BUK7Y21-40EX BUK7Y22-100EX BUK7Y25-40B,115 BUK7Y25-40B/C,115 BUK7Y25-60EX BUK7Y25-80EX BUK7Y28-75B,115 BUK7Y29-40EX BUK7Y2R0-40HX BUK7Y2R5-40HX BUK7Y35-55B,115 BUK7Y38-100EX