欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > B字母型號搜索 > B字母第1606頁 >

BUK9E15-60E,127

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BUK9E15-60E,127
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
19828
NXP USA Inc.
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BUK9E15-60E,127
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
I2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 60V 54A ...

1/1頁 40條/頁共9條
1

您是不是要找： BUK9E1R6-30E,127 BUK9E1R8-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 BUK9E2R3-40E,127 BUK9E2R8-60E,127 BUK9E3R2-40B,127 BUK9E3R2-40E,127 BUK9E3R7-60E,127 BUK9E4R4-40B,127

BUK9E15-60E,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK9E15-60E,127 PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans MOSFET N-CH 60V 54A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
BUK9E15-60E/I2PAK/RAILH// - Rail/Tube
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK

BUK9E15-60E,127 技術參數

BUK9E08-55B,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5280pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:203W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK9E06-55B,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7565pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:258W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK9E06-55A,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK9E04-40A,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:128nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8260pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BUK9E04-30B,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6526pF @ 25V 功率 - 最大值:254W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BUK9E4R4-80E,127 BUK9E4R9-60E,127 BUK9E6R1-100E,127 BUK9E8R5-40E,127 BUK9GTHP-55PJTR,51 BUK9K12-60EX BUK9K134-100EX BUK9K13-60EX BUK9K17-60EX BUK9K18-40E,115 BUK9K20-80EX BUK9K22-80EX BUK9K25-40EX BUK9K29-100E,115 BUK9K30-80EX BUK9K32-100EX BUK9K35-60E,115 BUK9K45-100E,115