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BUK9M52-40EX

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BUK9M52-40EX
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NXP/恩智浦
SOT1210
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BUK9M52-40EX
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NEXPERIA
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BUK9M52-40EX
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
18+
-
MOSFET 2N-CH 40V MLF...

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BUK9M52-40EX PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK9M52-40EX PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
17.6A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
4.5nC @ 5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
407pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
31W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
40 毫歐 @ 5A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
LFPAK33
封裝/外殼
SOT-1210，8-LFPAK33
標準包裝
1

BUK9M52-40EX 技術參數

BUK9M43-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2309pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標準包裝:1 BUK9M42-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.3nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:867pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:44W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標準包裝:1 BUK9M35-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1804pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:31 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標準包裝:1 BUK9M34-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:29A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24.7nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2844pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標準包裝:1 BUK9M28-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.7nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2275pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標準包裝:1 BUK9Y104-100B,115 BUK9Y107-80EX BUK9Y11-30B,115 BUK9Y11-30B/C1,115 BUK9Y113-100E,115 BUK9Y11-80EX BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-55B,115 BUK9Y12-80E,115 BUK9Y14-40B,115 BUK9Y14-80E,115 BUK9Y15-100E,115 BUK9Y153-100E,115 BUK9Y15-60E,115 BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B/C2,115