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BUK9Y98-80E,115

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批號
價格
說明
操作

BUK9Y98-80E,115
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
85309
NXP USA Inc.
SC-100, SOT-669
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BUK9Y98-80E,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，電源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 80V LFPA...

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BUK9Y98-80E,115 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 80V LFPAK
制造商
nxp semiconductors
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
80V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
-
功率 - 最大值
-
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應商器件封裝
LFPAK，電源-SO8
標準包裝
1,500

BUK9Y98-80E,115 技術參數

BUK9Y8R7-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:86A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:31nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4570pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y8R5-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:54.7nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8167pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:238W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y7R8-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1,500 BUK9Y7R6-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:79A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.4nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2403pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:95W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y7R2-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5026pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 基本零件編號:* 標準包裝:1 BU-L0-375TIN BU-L0-500TIN BUL1102E BUL1102EFP BUL1203E BUL1203EFP BUL128 BUL128D-B BUL128FP BUL128-K BU-L1-375TIN BUL138 BUL138FP BUL1403ED BUL146 BUL146F BUL146FG BUL146G