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BUL128DFP

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BUL128DFP PDF下載

功能描述
IGBT 晶體管 HIGH VOLTAGE NPN POWER
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發射極最大電壓
20 V
在25 C的連續集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

BUL128DFP 技術參數

BUL128D-B 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:12 @ 2A，5V 功率 - 最大值:70W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL128 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:14 @ 2A，5V 功率 - 最大值:70W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL1203EFP 功能描述:TRANS NPN 550V 5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:550V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1A，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:9 @ 2A，5V 功率 - 最大值:36W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 BUL1203E 功能描述:TRANS NPN 550V 5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:550V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1A，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:9 @ 2A，5V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL1102EFP 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 400mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:12 @ 2A，5V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220 整包標準包裝:50 BUL146G BUL213 BUL216 BU-L2-313 BUL310 BUL310FP BUL381D BUL38D BUL39D BUL3N7 BUL3P5 BUL416 BUL416T BU-L4-313TIN BU-L4-375TIN BUL44 BUL44G BUL45