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BYM365X

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BYM365X 技術(shù)參數(shù)
  • BYM359X-1500,127 功能描述:RF Diode Standard - 1 Pair Series Connection 1500V 10A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) - 1 對(duì)串聯(lián) 電壓 - 峰值反向（最大值）:1500V 電流 - 最大值:10A 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 不同?If，F(xiàn) 時(shí)的電阻:- 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BYM358X,127 功能描述:RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) - 單 電壓 - 峰值反向（最大值）:1500V，600V 電流 - 最大值:7A 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 不同?If，F(xiàn) 時(shí)的電阻:- 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BYM357X,127 功能描述:RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) - 單 電壓 - 峰值反向（最大值）:1500V，600V 電流 - 最大值:7A 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 不同?If，F(xiàn) 時(shí)的電阻:- 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BYM300B170DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:2 個(gè)獨(dú)立式 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:20mW 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.55V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:40μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:2.8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BYM300A120DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:- 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BYQ28E-100-E3/45 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81 BYQ28EB-150HE3/45 BYQ28EB-150HE3/81 BYQ28EB-200-E3/81 BYQ28EB-200HE3/45 BYQ28EB-200HE3/81
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