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BYT52MGEG

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BYT52MGEG 技術參數

BYT52K-TR 功能描述:Diode Avalanche 800V 1.4A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT52K-TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 1.4A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT52J-TR 功能描述:Diode Avalanche 600V 1.4A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT52J-TAP 功能描述:Diode Avalanche 600V 1.4A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT52G-TR 功能描述:Diode Avalanche 400V 1.4A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53D-TR BYT53F-TAP BYT53F-TR BYT53G-TAP BYT53G-TR BYT54A-TAP BYT54A-TR BYT54B-TAP BYT54B-TR BYT54D-TAP BYT54D-TR BYT54G-TAP BYT54G-TR BYT54J-TAP BYT54J-TR BYT54K-TAP BYT54K-TR BYT54M-TAP