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BYT53F TAP

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BYT53F TAP 技術參數

BYT53D-TR 功能描述:Diode Avalanche 200V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53D-TAP 功能描述:Diode Avalanche 200V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53C-TR 功能描述:Diode Avalanche 150V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53C-TAP 功能描述:Diode Avalanche 150V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53B-TR 功能描述:Diode Avalanche 100V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT54D-TR BYT54G-TAP BYT54G-TR BYT54J-TAP BYT54J-TR BYT54K-TAP BYT54K-TR BYT54M-TAP BYT54M-TR BYT56A-TAP BYT56A-TR BYT56B-TAP BYT56B-TR BYT56D-TAP BYT56D-TR BYT56G-TAP BYT56G-TR BYT56J-TAP