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BYT53J

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BYT53J 技術參數
  • BYT53G-TR 功能描述:Diode Avalanche 400V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57,軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53G-TAP 功能描述:Diode Avalanche 400V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57,軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53F-TR 功能描述:Diode Avalanche 300V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):300V 電流 - 平均整流(Io):1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 300V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57,軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53F-TAP 功能描述:Diode Avalanche 300V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):300V 電流 - 平均整流(Io):1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 300V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57,軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT53D-TR 功能描述:Diode Avalanche 200V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1.9A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57,軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT54J-TR BYT54K-TAP BYT54K-TR BYT54M-TAP BYT54M-TR BYT56A-TAP BYT56A-TR BYT56B-TAP BYT56B-TR BYT56D-TAP BYT56D-TR BYT56G-TAP BYT56G-TR BYT56J-TAP BYT56J-TR BYT56K-TAP BYT56K-TR BYT56M-TAP
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