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BYT56M T/B

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BYT56M T/B 技術參數
  • BYT56K-TR 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT56K-TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT56J-TR 功能描述:Diode Avalanche 600V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT56J-TAP 功能描述:Diode Avalanche 600V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT56G-TR 功能描述:Diode Avalanche 400V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT78-TAP BYT78-TR BYT79-500,127 BYT79-600,127 BYT79B-600PJ BYT79X-600,127 BYT79X-600PQ BYV10-600PQ BYV10ED-600PJ BYV10EX-600PQ BYV10X-600PQ BYV12-TAP BYV12-TR BYV13-TAP BYV13-TR BYV14-TAP BYV14-TR BYV15-TAP
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