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BYV32100

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    BYV32100E345

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

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    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室

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BYV32100 技術參數
  • BYV30X-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):30A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.55V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 全封裝,隔離接片 供應商器件封裝:TO-220F 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:1,000 BYV30W-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):30A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.55V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247-2 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:300 BYV30JT-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):30A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.8V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):65ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:480 BYV30B-600PJ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):30A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.55V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:800 BYV30-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):30A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.55V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:1,000 BYV32-50-E3/45 BYV32-50HE3/45 BYV32E-100,127 BYV32E-150,127 BYV32E-200,127 BYV32E-200PQ BYV32EB-200,118 BYV32EB-200PQ BYV32G-200,127 BYV34-400,127 BYV34-500,127 BYV34-600,127 BYV34G-600,127 BYV34X-600,127 BYV37-TAP BYV37-TR BYV38-TAP BYV38-TR
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