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BYW78100M

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BYW78100M 技術參數

BYW77PI-200RG 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 25A DOP3I 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:25A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.15V @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DOP3I-2 絕緣（直引線）供應商器件封裝:DOP3I 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:300 BYW77P-200 功能描述:Diode Standard 200V 25A Through Hole SOD-93-2 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:25A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.15V @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-93-2 供應商器件封裝:SOD-93-2 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:300 BYW77G-200-TR 功能描述:Diode Standard 200V 25A Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:25A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.15V @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 BYW76TR 功能描述:Diode Avalanche 600V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYW76TAP 功能描述:Diode Avalanche 600V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYW84-TR BYW85-TAP BYW85TR BYW86TAP BYW86-TR BYW98-200 BYW98-200RL BYW99P-200 BYW99PI-200RG BYW99W-200 BYWB29-100-E3/45 BYWB29-100-E3/81 BYWB29-100HE3/45 BYWB29-100HE3/81 BYWB29-150-E3/45 BYWB29-150-E3/81 BYWB29-150HE3/45 BYWB29-150HE3/81