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BZ-E35B-1003

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制造商
Fuji Electric
功能描述

BZ-E35B-1003 技術參數

BZD27C9V1P-M3-18 功能描述:Zener Diode 9.1V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:10,000 BZD27C9V1P-M3-08 功能描述:Zener Diode 9.1V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:3,000 BZD27C9V1P-M-18 功能描述:Zener Diode 9.1V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:10,000 BZD27C9V1P-M-08 功能描述:Zener Diode 9.1V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:3,000 BZD27C9V1PHRVG 功能描述:DIODE ZENER 9.05V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.05V 容差:±6.07% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:3,000 BZG03B100TR BZG03B100TR3 BZG03B10-HM3-08 BZG03B10-HM3-18 BZG03B10-M3-08 BZG03B10-M3-18 BZG03B10TR BZG03B10TR3 BZG03B110-HM3-08 BZG03B110-HM3-18 BZG03B110-M3-08 BZG03B110-M3-18 BZG03B110TR BZG03B110TR3 BZG03B11-HM3-08 BZG03B11-HM3-18 BZG03B11-M3-08 BZG03B11-M3-18