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BZD27C5V1GURT

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BZD27C5V1GURT 技術參數

BZD27C56PWHRVG 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W SOD123W 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD123W 標準包裝:3,000 BZD27C56PW RVG 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W SOD123W 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD123W 標準包裝:3,000 BZD27C56P-M3-18 功能描述:Zener Diode 56V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:10,000 BZD27C56P-M3-08 功能描述:Zener Diode 56V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:3,000 BZD27C56P-M-18 功能描述:Zener Diode 56V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF）標準包裝:10,000 BZD27C5V6P-E3-18 BZD27C5V6P-HE3-08 BZD27C5V6P-HE3-18 BZD27C5V6P-M-08 BZD27C5V6P-M-18 BZD27C5V6P-M3-08 BZD27C5V6P-M3-18 BZD27C62P M2G BZD27C62P MHG BZD27C62P MQG BZD27C62P MTG BZD27C62P R3G BZD27C62P RFG BZD27C62P RHG BZD27C62P RQG BZD27C62P RTG BZD27C62P RUG BZD27C62P RVG