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BZD27C6V8P/G2

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BZD27C6V8P/G2 技術參數
  • BZD27C6V8P RVG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:1 BZD27C6V8P RUG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5.88% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:1,800 BZD27C6V8P RTG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5.88% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:7,500 BZD27C6V8P RQG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5.88% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:10,000 BZD27C6V8P RHG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5.88% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:10,000 BZD27C6V8PHRFG BZD27C6V8PHRHG BZD27C6V8PHRQG BZD27C6V8PHRTG BZD27C6V8PHRUG BZD27C6V8PHRVG BZD27C6V8P-M-08 BZD27C6V8P-M-18 BZD27C6V8P-M3-08 BZD27C6V8P-M3-18 BZD27C75P M2G BZD27C75P MHG BZD27C75P MQG BZD27C75P MTG BZD27C75P R3G BZD27C75P RFG BZD27C75P RHG BZD27C75P RQG
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