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BZT03C100TAP

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BZT03C100TAP 技術(shù)參數(shù)
  • BZS55C9V1 RXG 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1206(3216 公制) 供應商器件封裝:1206 標準包裝:5,000 BZS55C8V2 RXG 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1206(3216 公制) 供應商器件封裝:1206 標準包裝:5,000 BZS55C7V5 RXG 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1206(3216 公制) 供應商器件封裝:1206 標準包裝:5,000 BZS55C6V8 RXG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1206(3216 公制) 供應商器件封裝:1206 標準包裝:5,000 BZS55C6V2 RXG 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1206(3216 公制) 供應商器件封裝:1206 標準包裝:5,000 BZT03C120-TR BZT03C12-TAP BZT03C12-TR BZT03C130-TAP BZT03C130-TR BZT03C13-TAP BZT03C13-TR BZT03C150-TAP BZT03C150-TR BZT03C15-TAP BZT03C15-TR BZT03C160-TAP BZT03C160-TR BZT03C16-TAP BZT03C16-TR BZT03C180-TAP BZT03C180-TR BZT03C18-TAP
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