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BZT52B3V3-V

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  • 制造商
  • VISHAY
  • 制造商全稱
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • Small Signal Zener Diodes
BZT52B3V3-V 技術參數
  • BZT52B3V3-TP 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 410MW SOD123 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 標準包裝:3,000 BZT52B3V3S RRG 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4.5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-90,SOD-323F 供應商器件封裝:SOD-323F 標準包裝:3,000 BZT52B3V3-HE3-18 功能描述:Zener Diode 3.3V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 標準包裝:10,000 BZT52B3V3-HE3-08 功能描述:Zener Diode 3.3V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 標準包裝:3,000 BZT52B3V3-G3-18 功能描述:Zener Diode 3.3V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 標準包裝:10,000 BZT52B3V6S RRG BZT52B3V6-TP BZT52B3V9 RHG BZT52B3V9-E3-08 BZT52B3V9-E3-18 BZT52B3V9-G RHG BZT52B3V9-G3-08 BZT52B3V9-G3-18 BZT52B3V9-HE3-08 BZT52B3V9-HE3-18 BZT52B3V9S RRG BZT52B3V9-TP BZT52B43 RHG BZT52B43-E3-08 BZT52B43-E3-18 BZT52B43-G RHG BZT52B43-G3-08 BZT52B43-G3-18
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