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BZT55C3V0 3.0V

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BZT55C3V0 3.0V PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZT55C3V0 3.0V 技術參數

BZT55C39-GS18 功能描述:Zener Diode 39V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-80 變式供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:10,000 BZT55C39-GS08 功能描述:Zener Diode 39V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-80 變式供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:2,500 BZT55C39 L1G 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 28V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZT55C39 L0G 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 28V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZT55C36-GS18 功能描述:Zener Diode 36V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-80 變式供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:10,000 BZT55C3V6 L1G BZT55C3V6-GS08 BZT55C3V6-GS18 BZT55C3V9 L0G BZT55C3V9 L1G BZT55C3V9-GS08 BZT55C3V9-GS18 BZT55C43 L0G BZT55C43 L1G BZT55C43-GS08 BZT55C43-GS18 BZT55C47 L0G BZT55C47 L1G BZT55C47-GS08 BZT55C47-GS18 BZT55C4V3 L0G BZT55C4V3 L1G BZT55C4V3-GS08