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BZV55-C62115

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制造商
NXP
功能描述
制造商
NXP Semiconductors
功能描述

BZV55-C62115 技術參數

BZV55-C62,135 功能描述:Zener Diode 62V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 43.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:10,000 BZV55-C62,115 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 43.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:1 BZV55C62 L1G 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 47V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55C62 L0G 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 47V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV55C62 功能描述:Zener Diode 62V ±6% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±6% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 43.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 BZV55-C6V2,135 BZV55C6V2-TP BZV55C6V8 BZV55C6V8 L0G BZV55C6V8 L1G BZV55-C6V8,115 BZV55-C6V8,135 BZV55C6V8-TP BZV55C75 BZV55C75 L0G BZV55C75 L1G BZV55-C75,115 BZV55-C75,135 BZV55C7V5 BZV55C7V5 L0G BZV55C7V5 L1G BZV55-C7V5,115 BZV55-C7V5,135