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BZV55B3V0.115

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BZV55B3V0.115 技術參數
  • BZV55-B3V0,115 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 基本零件編號:BZV55-B3V0 標準包裝:1 BZV55B3V0 L1G 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55B3V0 L0G 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV55-B39,115 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):130 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 27.3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:1 BZV55B39 L1G 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 28V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55B43 L0G BZV55B43 L1G BZV55-B43,115 BZV55B47 L0G BZV55B47 L1G BZV55-B47,115 BZV55B4V3 L0G BZV55B4V3 L1G BZV55-B4V3,115 BZV55B4V7 L0G BZV55B4V7 L1G BZV55-B4V7,115 BZV55-B4V7,135 BZV55B51 L0G BZV55B51 L1G BZV55-B51,115 BZV55B56 L0G BZV55B56 L1G
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