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BZX55A6V2

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BZX55A6V2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX55A6V2 技術參數

BZX55A5V6-TR 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A5V6-TAP 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A5V1-TAP 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A4V7-TAP 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A27-TAP 功能描述:Zener Diode 27V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 20V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B11-TAP BZX55B11-TR BZX55B12 A0G BZX55B12-TAP BZX55B12-TR BZX55B13 A0G BZX55B13-TAP BZX55B13-TR BZX55B15 A0G BZX55B15-TAP BZX55B15-TR BZX55B16 A0G BZX55B16-TAP BZX55B16-TR BZX55B18 A0G BZX55B18-TAP BZX55B18-TR BZX55B20 A0G