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BZX55A7V5

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BZX55A7V5 技術參數
  • BZX55A6V8-TAP 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態:上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A6V2-TAP 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態:上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A5V6-TR 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A5V6-TAP 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態:上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A5V1-TAP 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態:上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B12 A0G BZX55B12-TAP BZX55B12-TR BZX55B13 A0G BZX55B13-TAP BZX55B13-TR BZX55B15 A0G BZX55B15-TAP BZX55B15-TR BZX55B16 A0G BZX55B16-TAP BZX55B16-TR BZX55B18 A0G BZX55B18-TAP BZX55B18-TR BZX55B20 A0G BZX55B20-TAP BZX55B20-TR
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