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BZX55B3V6-TR

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BZX55B3V6-TR
    BZX55B3V6-TR

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 77459

  • Vishay Semiconductors

  • DO-35-2

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • BZX55B3V6-TR
    BZX55B3V6-TR

    BZX55B3V6-TR

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • VISHAY SE

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • BZX55B3V6-TR
    BZX55B3V6-TR

    BZX55B3V6-TR

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 4556

  • VISHAY

  • 1425

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存!

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BZX55B3V6-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 穩壓二極管 3.6 Volt 0.5W 2%
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
BZX55B3V6-TR 技術參數
  • BZX55B3V6-TAP 功能描述:Zener Diode 3.6V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B3V6 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B3V3-TR 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B3V3-TAP 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B3V3 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B4V3 A0G BZX55B4V3-TAP BZX55B4V3-TR BZX55B4V7 A0G BZX55B4V7-TAP BZX55B4V7-TR BZX55B51 A0G BZX55B51-TAP BZX55B51-TR BZX55B56 A0G BZX55B56-TAP BZX55B56-TR BZX55B5V1 A0G BZX55B5V1-TAP BZX55B5V1-TR BZX55B5V6 A0G BZX55B5V6-TAP BZX55B5V6-TR
配單專家

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