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BZX55C10M

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BZX55C10M 技術參數(shù)
  • BZX55C10_T50R 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C10_T50A 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C10_T26A 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C10 A0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C10 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX55C12 A0G BZX55C12_T26A BZX55C12_T50A BZX55C12_T50R BZX55C12-TAP BZX55C12-TR BZX55C13 BZX55C13 A0G BZX55C13_T50A BZX55C13_T50R BZX55C13-TAP BZX55C13-TR BZX55C15 BZX55C15 A0G BZX55C15_T50A BZX55C15_T50R BZX55C15-TAP BZX55C15-TR
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