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BZX55C3V0T/B

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BZX55C3V0T/B 技術參數
  • BZX55C3V0_T50R 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C3V0_T50A 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C3V0 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C3V0 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX55C39-TR 功能描述:Zener Diode 39V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C3V6 A0G BZX55C3V6_T50R BZX55C3V6-TAP BZX55C3V6-TR BZX55C3V9 BZX55C3V9 A0G BZX55C3V9_T50A BZX55C3V9_T50R BZX55C3V9-TAP BZX55C3V9-TR BZX55C43 BZX55C43 A0G BZX55C43_T50A BZX55C43_T50R BZX55C43-TAP BZX55C43-TR BZX55C47 BZX55C47 A0G
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