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BZX55C75 A0G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BZX55C75 A0G
    BZX55C75 A0G

    BZX55C75 A0G

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：曹先生

    電話：13487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 75590

  • Taiwan Semiconductor Corp

  • DO-204AH, DO-35, Axi

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BZX55C75 A0G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 75V 500MW DO35
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶盒（TB）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
  • 75V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗（最大值）（Zzt）
  • 170 Ohms
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 100nA @ 56V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
  • 1V @ 100mA
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH，DO-35，軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 5,000
BZX55C75 A0G 技術(shù)參數(shù)
  • BZX55C6V8-TR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 BZX55C6V8-TAP 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C6V8_T50R 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C6V8_T50A 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C6V8_T26A 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C8V2 A0G BZX55C8V2_T50A BZX55C8V2_T50R BZX55C8V2-TAP BZX55C8V2-TR BZX55C9V1 BZX55C9V1 A0G BZX55C9V1_T26A BZX55C9V1_T50A BZX55C9V1_T50R BZX55C9V1-TAP BZX55C9V1-TR BZX55F10-TAP BZX55F11-TR BZX55F12-TAP BZX55F12-TR BZX55F13-TAP BZX55F13-TR
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