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BZX79-B62.133

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BZX79-B62.133 技術參數
  • BZX79-B62,143 功能描述:Zener Diode 62V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 43.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B62,133 功能描述:Zener Diode 62V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 43.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79-B62,113 功能描述:Zener Diode 62V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 43.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79B62 A0G 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:43.4mA @ 50mV 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-B5V6,143 功能描述:Zener Diode 5.6V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B6V8,113 BZX79-B6V8,133 BZX79-B6V8,143 BZX79B75 A0G BZX79-B75,113 BZX79-B75,133 BZX79-B75,143 BZX79B7V5 A0G BZX79-B7V5,113 BZX79-B7V5,133 BZX79-B7V5,143 BZX79B8V2 A0G BZX79-B8V2,113 BZX79-B8V2,133 BZX79-B8V2,143 BZX79B9V1 A0G BZX79-B9V1,113 BZX79-B9V1,133
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