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BZX79-B75133

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
制造商
NXP
功能描述
制造商
NXP Semiconductors
功能描述

BZX79-B75133 技術參數

BZX79-B75,143 功能描述:Zener Diode 75V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 52.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B75,133 功能描述:DIODE ZENER 75V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 52.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79B75 標準包裝:1 BZX79-B75,113 功能描述:Zener Diode 75V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 52.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79B75 A0G 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:52.5mA @ 50mV 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-B6V8,143 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79B6V8 標準包裝:1 BZX79-B9V1,113 BZX79-B9V1,133 BZX79-B9V1,143 BZX79C10 BZX79C10 A0G BZX79-C10,113 BZX79-C10,133 BZX79-C10,143 BZX79C10_T50A BZX79C10_T50R BZX79C10-T50A BZX79C11 BZX79C11 A0G BZX79-C11,113 BZX79-C11,133 BZX79-C11,143 BZX79C11_T50A BZX79C11_T50R